Высказывания: Я вижу, что крепость, которую построили тысячи людей, может разрушить один человек. А как быть, если строит один, а разрушителей - тысячи? Имам Шамиль
Основные параметры полевого n-канального транзистора TIS75
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора TIS75 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
350
30
-
30
80
-55+150
(Ton:10/Tof:100nS)
18
60
Производитель: New Jersey Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора TIS75:
Корпус: TO-92; Rth: 125°C; Crss: 8пФ; Trise: 10нc; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора TIS75
Общий вид транзистора TIS75.
Цоколевка транзистора TIS75.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2024-03-04 15:03:37; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.