Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Новости.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
14.5.2024 Мировая экономическая нестабильность, высокая...

9.5.2024 С Днём Победы!!!...

27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...



Высказывания:
Вести бизнес без рекламы все равно, что подмигивать девушкам в темноте. /С. Бритт/



Новости справочника основных параметров транзисторов подробно.

14.5.2024: Мировая экономическая нестабильность, высокая стоимость производства, а также ограниченная клиентская база в таких секторах, как мобильные устройства, указываются причинами несущественного спроса на 3-нм техпроцесс Samsung. Лидерство в изготовлении 3-нм чипов получили более традиционные и дешёвые методы производства транзисторов.

9.5.2024: С Днём Победы!!!

27.1.2024: По утверждению учёных, с помощью модификации простой технологии, известной более 50 лет, можно получить транзисторы, способные работать на терагерцовых частотах, со скоростями в 10 раз выше, чем у кремниевых транзисторов, используемых в современных чипах. Название нового материала - полупроводниковый эпитаксиальный графен (SEC) или эпиграфен.

18.11.2023: Cамый сложный и дорогой этап производства основ для полупроводников с высокой подвижностью носителей заряда разрабатывается учёными Института проблем машиностроения РАН (Санкт-Петербург).

18.11.2023: Новый вид транзистора создан в Калифорнийском университете - транзистор для управления теплом. Изменение теплопроводности с помощью электрического поля - перспективное направление.

11.9.2023: О создании технологии массового производства пластин до 300 мм, на которых можно изготавливать транзисторы с затвором 1нм и меньше, сообщили китайские учёные. Действие наблюдения Гордона Мура продлевается?

23.6.2023: Российские учёные вместе с коллегами из Италии и Германии предложили новую технологию получения важного материала передовой электроники. Применение двумерного теллурида галлия позволит разработать новые фотодетекторы, элементы для солнечной энергетики и дисплеев нового поколения.

23.6.2023: Начался приём заказов на серийно выпускаемые силовые транзисторы на основе нитрида галлия в металлокерамических и пластиковых корпусах. Нитрид-галлиевая технология - перспективное и быстроразвивающееся направление в силовой и СВЧ-электронике.

15.5.2023: Выключение занимает около секунды, включение - пять секунд! Деревянный транзистор - медленный и громоздкий. Он обладает огромным потенциалом развития?

9.5.2023: С Днём Победы!!!

7.4.2023: В лабораториях, к столетнему юбилею, наверняка уже создан и работает транзистор будущего 2047 года.

9.2.2023: Разработка российских учёных - будущее литографического оборудования на основе технологии сверхжёсткого ультрафиолетового излучения, применяемая при производстве микроэлектроники, значительно упрощает устройство источника и лазерную структуру, уменьшает засорение оптических компонентов, сокращает рабочую длину волны. Ещё один шаг к пределу миниатюризации?

28.1.2023: Не названные, информированные источники агентства Bloomberg сообщают, что Китаю пытаются ограничить доступ к современному оборудованию для производства полупроводников. Американские компании недовольны - большой рынок становится свободнее для конкурентов. А что исчезло в мире, благодаря человеческим запретам?

23.1.2023: Итоги 2022 года показали стабильный рост выручки Тайваня от экспорта полупроводниковых элементов. Неужели низкая концентрация производств делает цепочки поставок надёжными?

22.1.2023: Строится фабрика для производства микроэлектроники по 28-нанометровой топологии в России. 28 нанометров - это сегодняшний предел для качественного уменьшения логических элементов на современных кремниевых пластинах. Дальнейшего уменьшения геометрии транзисторов в настоящее время не предполагается.

24.11.2022: Открыт новый путь развития полупроводниковой техники. Комнатный перепад температур изменяет тип проводимости. Где и как применять - загадка?

9.5.2022: С Днем Победы!!!

25.12.2021: Для применения в сфере 'искусственного интеллекта' созданы программируемые транзисторы. Экзотики в производстве нет.


16.5.2021: Проблема роста популярности носимых сенсоров и умных татуировок волнует ученых. Американским транзисторам уменьшают срок службы до года.


9.5.2021: С Днем Победы!!!

25.9.2020: Эволюция транзисторов продиктована техникой современности:
-по температуре нормальной работы до 1000 градусов Цельсия;
-по габаритам и рабочим напряжениям - меньше и больше.

9.5.2020: С Днем Победы!!!

9.5.2019: С Днем Победы!!!

9.5.2018: С Днем Победы!!!

9.5.2017: С Днем Победы!!!

12.1.2017: В 2017 году российские разработчики электронных компонентов планируют получить образцы новых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Технология откроет новые горизонты в развитии мобильной и космической связи, уменьшит размеры различных блоков питания и зарядных устройств.
В 2016 году сообщалось о создании американскими учеными самого маленького в мире транзистора на основе сульфида молибдена.

9.5.2016: С Днем Победы!!!

31.3.2016: Специалисты ОАО «Ангстрем» разработали и выпустили полностью отечественные силовые IGBT-модули. Основными потребителями модулей на основе БТИЗ и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) являются производители общественного транспорта на электрической тяге, а также компании, эксплуатирующие его. Кроме того, огромное количество IGBT-модулей используется в сфере ЖКХ (лифтовое оборудование, системы водо- и теплоснабжения) и энергетике. В настоящее время уже доступна для заказа широкая линейка модулей в диапазоне напряжений от 600 В до 1700 В и максимальным током от 75А до 600А.

17.11.2015: В конце 1997 года президент маленькой американской компьютерной фирмы заявил, что на изобретение транзисторов, американцев вдохновили инопланетные технологии космического корабля, разбившегося в Розуэлле в 1947 году. Положим это так. Можно ли утверждать, что более полувека до этого события, ученые, подключаясь к вселенскому разуму, вызывали гуманоидов на контакт с землянами, но что-то пошло не так?..

17.10.2015: Повальный переход на электротягу стимулирует появление новых транзисторов на основе карбида кремния (SiC, silicon carbide) и нитрида галлия (GaN). Это обещает в будущем уменьшение размеров блоков питания на 80–90%. Лидируют на новом и перспективном рынке силовых транзисторов две компании.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

На сайте в Ростове-на-Дону. Можно на доске объявлений здесь найти частные объявления. Для бизнеса.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru