Высказывания: С первым бокалом человек пьет вино, со вторым -вино пьет вино, с третьим - вино пьет человека.
Новости справочника основных параметров транзисторов подробно.
15.5.2023: Выключение занимает около секунды, включение - пять секунд! Деревянный транзистор - медленный и громоздкий. Он обладает огромным потенциалом развития?
9.2.2023: Разработка российских учёных - будущее литографического оборудования на основе технологии сверхжёсткого ультрафиолетового излучения, применяемая при производстве микроэлектроники, значительно упрощает устройство источника и лазерную структуру, уменьшает засорение оптических компонентов, сокращает рабочую длину волны. Ещё один шаг к пределу миниатюризации?
28.1.2023: Не названные, информированные источники агентства Bloomberg сообщают, что Китаю пытаются ограничить доступ к современному оборудованию для производства полупроводников. Американские компании недовольны - большой рынок становится свободнее для конкурентов. А что исчезло в мире, благодаря человеческим запретам?
23.1.2023: Итоги 2022 года показали стабильный рост выручки Тайваня от экспорта полупроводниковых элементов. Неужели низкая концентрация производств делает цепочки поставок надёжными?
22.1.2023: Строится фабрика для производства микроэлектроники по 28-нанометровой топологии в России. 28 нанометров - это сегодняшний предел для качественного уменьшения логических элементов на современных кремниевых пластинах. Дальнейшего уменьшения геометрии транзисторов в настоящее время не предполагается.
16.5.2021: Проблема роста популярности носимых сенсоров и умных татуировок волнует ученых. Американским транзисторам уменьшают срок службы до года.
9.5.2021: С Днем Победы!!!
25.9.2020: Эволюция транзисторов продиктована техникой современности:
-по температуре нормальной работы до 1000 градусов Цельсия;
-по габаритам и рабочим напряжениям - меньше и больше.
9.5.2020: С Днем Победы!!!
9.5.2019: С Днем Победы!!!
9.5.2018: С Днем Победы!!!
9.5.2017: С Днем Победы!!!
12.1.2017: В 2017 году российские разработчики электронных компонентов планируют получить образцы новых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Технология откроет новые горизонты в развитии мобильной и космической связи, уменьшит размеры различных блоков питания и зарядных устройств. В 2016 году сообщалось о создании американскими учеными самого маленького в мире транзистора на основе сульфида молибдена.
9.5.2016: С Днем Победы!!!
31.3.2016: Специалисты ОАО «Ангстрем» разработали и выпустили полностью отечественные силовые IGBT-модули. Основными потребителями модулей на основе БТИЗ и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) являются производители общественного транспорта на электрической тяге, а также компании, эксплуатирующие его. Кроме того, огромное количество IGBT-модулей используется в сфере ЖКХ (лифтовое оборудование, системы водо- и теплоснабжения) и энергетике. В настоящее время уже доступна для заказа широкая линейка модулей в диапазоне напряжений от 600 В до 1700 В и максимальным током от 75А до 600А.
17.11.2015: В конце 1997 года президент маленькой американской компьютерной фирмы заявил, что на изобретение транзисторов, американцев вдохновили инопланетные технологии космического корабля, разбившегося в Розуэлле в 1947 году. Положим это так. Можно ли утверждать, что более полувека до этого события, ученые, подключаясь к вселенскому разуму, вызывали гуманоидов на контакт с землянами, но что-то пошло не так?..
17.10.2015: Повальный переход на электротягу стимулирует появление новых транзисторов на основе карбида кремния (SiC, silicon carbide) и нитрида галлия (GaN). Это обещает в будущем уменьшение размеров блоков питания на 80–90%. Лидируют на новом и перспективном рынке силовых транзисторов две компании.
26.12.2014: Для удобства работы с ресурсом добавлены новые возможности, исправлены видимые и невидимые ошибки, устранены неточности и учтены пожелания пользователей. Совершенству нет предела и лучшее, конечно, впереди. Желаю в наступающем Новом 2015 году Мира, Здоровья, Любви, Счастья и Благополучия всем Человекам!
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
