Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Новости.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
9.2.2023 Разработка российских учёных - будущее литогр...
28.1.2023 Не названные, информированные источники агент...
23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...


Юмор:
Самые горячие девки - в бане.



Новости справочника основных параметров транзисторов подробно.

9.2.2023: Разработка российских учёных - будущее литографического оборудования на основе технологии сверхжёсткого ультрафиолетового излучения, применяемая при производстве микроэлектроники, значительно упрощает устройство источника и лазерную структуру, уменьшает засорение оптических компонентов, сокращает рабочую длину волны. Ещё один шаг к пределу миниатюризации?

28.1.2023: Не названные, информированные источники агентства Bloomberg сообщают, что Китаю пытаются ограничить доступ к современному оборудованию для производства полупроводников. Американские компании недовольны - большой рынок становится свободнее для конкурентов. А что исчезло в мире, благодаря человеческим запретам?

23.1.2023: Итоги 2022 года показали стабильный рост выручки Тайваня от экспорта полупроводниковых элементов. Неужели низкая концентрация производств делает цепочки поставок надёжными?

22.1.2023: Строится фабрика для производства микроэлектроники по 28-нанометровой топологии в России. 28 нанометров - это сегодняшний предел для качественного уменьшения логических элементов на современных кремниевых пластинах. Дальнейшего уменьшения геометрии транзисторов в настоящее время не предполагается.

24.11.2022: Открыт новый путь развития полупроводниковой техники. Комнатный перепад температур изменяет тип проводимости. Где и как применять - загадка?

9.5.2022: С Днем Победы!!!

25.12.2021: Для применения в сфере 'искусственного интеллекта' созданы программируемые транзисторы. Экзотики в производстве нет.


16.5.2021: Проблема роста популярности носимых сенсоров и умных татуировок волнует ученых. Американским транзисторам уменьшают срок службы до года.


9.5.2021: С Днем Победы!!!

25.9.2020: Эволюция транзисторов продиктована техникой современности:
-по температуре нормальной работы до 1000 градусов Цельсия;
-по габаритам и рабочим напряжениям - меньше и больше.

9.5.2020: С Днем Победы!!!

9.5.2019: С Днем Победы!!!

9.5.2018: С Днем Победы!!!

9.5.2017: С Днем Победы!!!

12.1.2017: В 2017 году российские разработчики электронных компонентов планируют получить образцы новых транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Технология откроет новые горизонты в развитии мобильной и космической связи, уменьшит размеры различных блоков питания и зарядных устройств.
В 2016 году сообщалось о создании американскими учеными самого маленького в мире транзистора на основе сульфида молибдена.

9.5.2016: С Днем Победы!!!

31.3.2016: Специалисты ОАО «Ангстрем» разработали и выпустили полностью отечественные силовые IGBT-модули. Основными потребителями модулей на основе БТИЗ и быстровосстанавливающихся диодов (FRD) являются производители общественного транспорта на электрической тяге, а также компании, эксплуатирующие его. Кроме того, огромное количество IGBT-модулей используется в сфере ЖКХ (лифтовое оборудование, системы водо- и теплоснабжения) и энергетике. В настоящее время уже доступна для заказа широкая линейка модулей в диапазоне напряжений от 600 В до 1700 В и максимальным током от 75А до 600А.

17.11.2015: В конце 1997 года президент маленькой американской компьютерной фирмы заявил, что на изобретение транзисторов, американцев вдохновили инопланетные технологии космического корабля, разбившегося в Розуэлле в 1947 году. Положим это так. Можно ли утверждать, что более полувека до этого события, ученые, подключаясь к вселенскому разуму, вызывали гуманоидов на контакт с землянами, но что-то пошло не так?..

17.10.2015: Повальный переход на электротягу стимулирует появление новых транзисторов на основе карбида кремния (SiC, silicon carbide) и нитрида галлия (GaN). Это обещает в будущем уменьшение размеров блоков питания на 80–90%. Лидируют на новом и перспективном рынке силовых транзисторов две компании.

28.9.2015: Резиновый транзистор разработали японские ученые из института AIST (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology). Созданные транзисторы мягки, эластичны и выдерживают сильные механические нагрузки. Они изготовлены из резины, кремнийсодержащего геля и эластичного пластика. Благодаря этому без потери работоспособности могут выдерживать механические нагрузки, могут быть погружены в воду и на них может наступить женщина на высоком каблуке-шпильке. Все это позволит изготавливать на базе эластичных транзисторов датчики, которые будут располагаться на одежде или прямо на полу жилых, офисных и производственных помещений.

9.5.2015: С Днем Победы!!!

25.3.2015: Это нельзя забывать! Это необходимо помнить!
ИТОГИ ВТОРОЙ МИРОВОЙ ВОЙНЫ: МИФЫ И РЕАЛЬНОСТЬ.

26.12.2014: Для удобства работы с ресурсом добавлены новые возможности, исправлены видимые и невидимые ошибки, устранены неточности и учтены пожелания пользователей. Совершенству нет предела и лучшее, конечно, впереди. Желаю в наступающем Новом 2015 году Мира, Здоровья, Любви, Счастья и Благополучия всем Человекам!

28.10.2014: Это нельзя забывать! Это необходимо помнить!
Почему Фадеев пожалел читателей: страшная правда о Молодой Гвардии. 16+

16.7.2014: Для производства транзисторов по 10-ти и 7-ми нанометровой технологии в компании IBM предложили использовать 'лобзик'. В книгу рекордов Гиннеса занесен очередной рекорд миниатюризации.

9.5.2014: С Днем Победы!!!

15.4.2014: Добавлены разделы полевых транзисторов n-канальных и p-канальных.

9.4.2014: Даже имея под рукой Интернет с его великими возможностями, всегда лучше 'в живую' посмотреть на нужную деталь и позадавать вопросы знающим людям. А сколько интересных и нужных вещичек еще можно найти в магазинах электроники!!! Главное знать где он (магазин) находится и хорошо, если не далеко. Именно эта цель преследовалась при внедрении функции ПАРАТРАНа - каталога магазинов электроники - для легкого нахождения магазина радиодеталей в Вашем городе. Добавление магазина происходит через систему Коллективного разума пользователями сайта. Если Вы знаете месторасположение магазина электронных компонентов, то прошу добавить в систему, пригодится всем. Надеюсь обновленная функция будет востребована, ну а старые идеи отправляются в музей.

10.9.2013: Метод получения углеродных транзисторов на основе нитей ДНК разработал Сотрудник Стенфордского университета Анатолий Соколов совместно с коллегами-физиками.
Целью работы ученых было использовать ДНК в качестве направляющей структуры для выращивания тонких (шириной в несколько атомов, до 10 нанометров) графеновых полосок. Как было показано ранее, такие полоски, в отличие от листового графена, являются полупроводниками, поэтому могут быть использованы для создания транзисторов.
Подробности читайте на Ленте.ру.

9.5.2013: С Днем Победы!!!

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru