Высказывания: У любой великой идеи есть недостаток, равный или превышающий величие этой идеи.
Основные параметры полевого n-канального транзистора MSAFX11N80A
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора MSAFX11N80A . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
310000
800
-
-
11000
-
(Ton:100/Tof:150nS)
4200
0,95
Производитель: Microsemi Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MSAFX11N80A:
Rth: 0°C; Coss: 360пФ; Crss: 100пФ; Qg: 160нКл; Qgs: 50нКл; Qgd: 80нКл; Trr: 250нc; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MSAFX11N80A
Общий вид транзистора MSAFX11N80A.
Цоколевка транзистора MSAFX11N80A.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2024-01-27 14:13:53; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.