Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора SIS438DN.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
В большом городе пешеходы ведут мученическую жизнь. Для них ввели некое транспортное гетто. Им разрешают переходить улицы только на перекрестках, то есть именно в тех местах, где движение сильнее всего и где волосок, на котором обычно висит жизнь пешехода, легче всего оборвать.
Ильф и Петров



Основные параметры полевого n-канального транзистора SIS438DN

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора SIS438DN . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: n-канал
Структура (технология):

Pd max, мВтUds max, ВUdg max, ВUgs max, ВId max, мАTj max, °CFr (T on/of)Ciss tip, пФRds, Ом
2770020-2016000-- -0,0095

Производитель: Vishay (Siliconix,General Semiconductor)
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора SIS438DN: Корпус: PowerPAK,PowerPAK 1212-8; Rth: 0°C; Qg: 7,3нКл; Qgs: 2,2нКл; Qgd: 2,1нКл;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора SIS438DN

Общий вид транзистора SIS438DN.Цоколевка транзистора SIS438DN.
Общий вид транзистора SIS438DN Цоколевка транзистора SIS438DN

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2023-12-29 20:12:11; Пользователь: .



Аналоги транзистора SIS438DN





Коллективный разум. Дополнения для транзистора SIS438DN.

Вы знаете больше о транзисторе SIS438DN, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора SIS438DN.
Добавить рисунок транзистора SIS438DN.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора SIS438DN.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru