Высказывания: Никто еще не бросал заниматься бизнесом из-за того, что ему приходилось платить слишком большие налоги по причине получения слишком высоких прибылей. Закон Ле Энгля о бухгалтерском учете
Основные параметры полевого n-канального транзистора SI8800EDB
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора SI8800EDB . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
900
20
-
8
2800
-
-
-
0,08
Производитель: Vishay (Siliconix,General Semiconductor) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора SI8800EDB:
Корпус: MICRO FOOT 0.8; Rth: 0°C; Qg: 3,2нКл; Qgs: 0,42нКл; Qgd: 0,5нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора SI8800EDB
Общий вид транзистора SI8800EDB.
Цоколевка транзистора SI8800EDB.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2023-12-27 17:21:38; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.