Высказывания: Сила и слава богатству послушны. Гораций
Основные параметры полевого n-канального транзистора TSP10N60M / TSF10N60M
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора TSP10N60M / TSF10N60M . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология): MOSFET
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
162000
600
±30
10000
150
(70/80ns)
1650
0,8
Производитель: Truesemi Semiconductor Corporation Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора TSP10N60M / TSF10N60M
Общий вид транзистора TSP10N60M / TSF10N60M.
Цоколевка транзистора TSP10N60M / TSF10N60M.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2023-07-13 10:16:14; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.