Высказывания: Признательность народная скоро сообщается и любит выражаться в громких восклицаниях; одна ненависть скрытна и молчалива. Лажечников Иван Иванович
Основные параметры полевого n-канального транзистора BSC252N10NSF
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора BSC252N10NSF . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
78000
100
-
20
160000
-55+150
(Ton:11/Tof:16nS)
860
0,0195
Производитель: Beijing Jingchuan Electronic Company Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора BSC252N10NSF:
Корпус: SuperSO8; Rth: 1,6°C; Coss: 280пФ; Crss: 10пФ; Qg: 13нКл; Qgs: 5нКл; Qgd: 3нКл; Trise: 21нc; Tfall: 4нc; Trr: 82нc; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BSC252N10NSF
Общий вид транзистора BSC252N10NSF.
Цоколевка транзистора BSC252N10NSF.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2023-05-31 10:40:55; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.