Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора BSS209PW H6327.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Высказывания:
То, что мы называем прогрессом, представляет собой замену одной неприятности другою.



Основные параметры полевого p-канального транзистора BSS209PW H6327

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого p-канального транзистора BSS209PW H6327 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: p-канал
Структура (технология):

Pd max, мВтUds max, ВUdg max, ВUgs max, ВId max, мАTj max, °CFr (T on/of)Ciss tip, пФRds, Ом
30020-1,2630-- -0,9

Производитель: Infineon (Siemens)
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора BSS209PW H6327: Корпус: SOT-323; Rth: 0°C; Qg: 1нКл;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора BSS209PW H6327

Общий вид транзистора BSS209PW H6327.Цоколевка транзистора BSS209PW H6327.
Общий вид транзистора BSS209PW H6327 Цоколевка транзистора BSS209PW H6327

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2023-05-26 14:13:38; Пользователь: .



Аналоги транзистора BSS209PW H6327





Коллективный разум. Дополнения для транзистора BSS209PW H6327.

Вы знаете больше о транзисторе BSS209PW H6327, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора BSS209PW H6327.
Добавить рисунок транзистора BSS209PW H6327.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора BSS209PW H6327.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru