Высказывания: Любовь - это соединение души, ума и тела. Следите за очередностью.
Основные параметры полевого n-канального транзистора FDP150N10
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора FDP150N10 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
110000
100
-
4,5
57000
-
-
3580
0,015
Производитель: FairChild (Samsung) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора FDP150N10:
Корпус: TO-220; Rth: 0°C; Qg: 53нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FDP150N10
Общий вид транзистора FDP150N10.
Цоколевка транзистора FDP150N10.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2023-02-24 09:35:21; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
