Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2ПЕ301Б1.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...



Юмор:
Минздрав докаркался.



Основные параметры полевого n-канального транзистора 2ПЕ301Б1

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора 2ПЕ301Б1 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: n-канал
Структура (технология): LDMOS

Pd max, мВтUds max, ВUdg max, ВUgs max, ВId max, мАTj max, °CFr (T on/of)Ciss tip, пФRds, Ом
140000601025000180

Производитель: АО "НПП "Пульсар"
Сфера применения: Применение в усилителях мощности и в выходных каскадах радиоэлектронной аппаратуры.
Дополнительные параметры транзистора 2ПЕ301Б1: Диапазон рабочих температур: -60 +125 градусов Цельсия. Корпус соответствует зарубежному аналогу SOT502A. Наличие внутренних цепей согласования. Отрицательный температурный коэффициент тока стока. Встроенная защита от электростатического разряда (ESD). Отсутствие BeO керамики. Отсутствие опасных веществ (RoHS).
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2ПЕ301Б1

Общий вид транзистора 2ПЕ301Б1.Цоколевка транзистора 2ПЕ301Б1.
Общий вид транзистора 2ПЕ301Б1 Цоколевка транзистора 2ПЕ301Б1

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2022-12-29 03:55:39; Пользователь: .



Аналоги транзистора 2ПЕ301Б1





Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2ПЕ301Б1.

Вы знаете больше о транзисторе 2ПЕ301Б1, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2ПЕ301Б1.
Добавить рисунок транзистора 2ПЕ301Б1.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2ПЕ301Б1.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru