Высказывания: Стоит человеку стать знаменитым, как вскоре находится кто-то, сидевший рядом с ним в школе. Кин Хаббард
Основные параметры полевого n-канального транзистора SI8810EDB
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора SI8810EDB . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
900
20
-
8
2900
-
-
-
0,072
Производитель: Vishay (Siliconix,General Semiconductor) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора SI8810EDB:
Qg: 3нКл; Qgs: 0,35нКл; Qgd: 0,45нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора SI8810EDB
Общий вид транзистора SI8810EDB.
Цоколевка транзистора SI8810EDB.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2022-11-07 13:21:33; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
