Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора SSM3J117TU.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
14.5.2024 Мировая экономическая нестабильность, высокая...

9.5.2024 С Днём Победы!!!...

27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...



Высказывания:
Если не знаешь, что делать, сделай шаг вперед.



Основные параметры полевого p-канального транзистора SSM3J117TU

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого p-канального транзистора SSM3J117TU . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: p-канал
Структура (технология):

Pd max, мВтUds max, ВUdg max, ВUgs max, ВId max, мАTj max, °CFr (T on/of)Ciss tip, пФRds, Ом
80030-204000-55+150(Ton:16/Tof:35nS) 2800,08

Производитель: Toshiba
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора SSM3J117TU: Корпус: SOT-323F; Coss: 80пФ; Crss: 45пФ;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора SSM3J117TU

Общий вид транзистора SSM3J117TU.Цоколевка транзистора SSM3J117TU.
Общий вид транзистора SSM3J117TU Цоколевка транзистора SSM3J117TU

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2020-08-11 14:18:09; Пользователь: .



Аналоги транзистора SSM3J117TU





Коллективный разум. Дополнения для транзистора SSM3J117TU.

Вы знаете больше о транзисторе SSM3J117TU, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора SSM3J117TU.
Добавить рисунок транзистора SSM3J117TU.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора SSM3J117TU.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru