Высказывания: Да не увидит дел исхода злого, Кто никогда не делает дурного. Злодей же злом повсюду окружен, Как сам себя язвящий скорпион. Саади
Основные параметры полевого p-канального транзистора FDD6685
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого p-канального транзистора FDD6685 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: p-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
1600
30
-
25
100000
-
-
1715
0,02
Производитель: FairChild (Samsung) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора FDD6685:
Корпус: TO-252; Rth: 0°C; Qg: 17нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FDD6685
Общий вид транзистора FDD6685.
Цоколевка транзистора FDD6685.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2019-11-15 10:26:18; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
