Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора BUK7507 55B TO220AB.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
14.5.2024 Мировая экономическая нестабильность, высокая...

9.5.2024 С Днём Победы!!!...

27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...



Высказывания:
Единственный способ выжить - это умереть.



Основные параметры полевого n-канального транзистора BUK7507 55B TO220AB

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора BUK7507 55B TO220AB . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: n-канал
Структура (технология): MOSFET

Pd max, мВтUds max, ВUdg max, ВUgs max, ВId max, мАTj max, °CFr (T on/of)Ciss tip, пФRds, Ом
20300055552075000175 0,0071

Производитель: PHILIPS
Сфера применения: Авто-реле
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора BUK7507 55B TO220AB

Общий вид транзистора BUK7507 55B TO220AB.Цоколевка транзистора BUK7507 55B TO220AB.
Общий вид транзистора BUK7507 55B TO220AB Цоколевка транзистора BUK7507 55B TO220AB

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2018-10-08 11:18:17; Пользователь: Ю..



Аналоги транзистора BUK7507 55B TO220AB





Коллективный разум. Дополнения для транзистора BUK7507 55B TO220AB.

транзистор
Комментарий к рисунку: Нет
Дата добавления: 2023-03-14 05:55:47; Пользователь: Без имени.


Вы знаете больше о транзисторе BUK7507 55B TO220AB, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора BUK7507 55B TO220AB.
Добавить рисунок транзистора BUK7507 55B TO220AB.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора BUK7507 55B TO220AB.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru