Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора FDN302P.

Новости:
9.2.2023 Разработка российских учёных - будущее литогр...
28.1.2023 Не названные, информированные источники агент...
23.1.2023 Итоги 2022 года показали стабильный рост выру...

Высказывания:
Научитесь всегда быть спокойным и мудрым. Когда вы спокойны и мудры, ваши действия будут соответствовать ситуации и не будут омрачены отрицательными эмоциями.
Буддийские советы

Основные параметры полевого p-канального транзистора FDN302P

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого p-канального транзистора FDN302P . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: p-канал
Структура (технология):

Производитель: FairChild (Samsung)
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора FDN302P: Корпус: SuperSOT-3; Rth: 75°C; Coss: 211пФ; Crss: 112пФ; Qg: 9нКл; Qgs: 2нКл; Qgd: 3нКл; Trise: 11нc; Tfall: 15нc;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора FDN302P

Общий вид транзистора FDN302P.	Цоколевка транзистора FDN302P.

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2016-09-05 10:26:16; Пользователь: .

Аналоги транзистора FDN302P

Коллективный разум. Дополнения для транзистора FDN302P.

Вы знаете больше о транзисторе FDN302P, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора FDN302P.
Добавить рисунок транзистора FDN302P.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора FDN302P.

Другие разделы справочника:

Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск транзистора по маркировке.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Типоразмеры корпусов транзисторов.

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.