Высказывания: Сопереживать страданиям друга может всякий, а вот успехам - лишь натура необычайно тонкая. Оскар Уайльд
Основные параметры полевого n-канального транзистора HFI50N06
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора HFI50N06 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Тип канала: n-канал Структура (технология):
Pd max, мВт
Uds max, В
Udg max, В
Ugs max, В
Id max, мА
Tj max, °C
Fr (T on/of)
Ciss tip, пФ
Rds, Ом
120000
60
-
-
50000
-
-
-
0,022
Производитель: SemiHow Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора HFI50N06:
Корпус: TO-262; Qg: 40нКл; Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора HFI50N06
Общий вид транзистора HFI50N06.
Цоколевка транзистора HFI50N06.
Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.
Дата создания страницы: 2016-03-02 10:28:43; Пользователь: .
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.