Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2П829Ж.

Новости:
27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...

18.11.2023 Cамый сложный и дорогой этап производства осн...

18.11.2023 Новый вид транзистора создан в Калифорнийском...

Высказывания:
Когда у вас полный рот еды, никогда не говорите "классно!".
Застольный закон Барбары

Основные параметры полевого n-канального транзистора 2П829Ж

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах полевого n-канального транзистора 2П829Ж . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Тип канала: n-канал
Структура (технология):

Производитель: Искра, ОКБ
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора 2П829Ж: Корпус: КТ-43А; Coss: 3700пФ; Crss: 550пФ; Qg: 170нКл; Qgs: 43нКл; Qgd: 71нКл; Trise: 76нc; Tfall: 56нc; Trr: 235нc;
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

Схемы транзистора 2П829Ж

Общий вид транзистора 2П829Ж.	Цоколевка транзистора 2П829Ж.

Обозначение контактов:
Международное: G - затвор, D - сток, S - исток.
Российское: З - затвор, С - сток, И - исток.

Дата создания страницы: 2016-03-02 10:02:44; Пользователь: .

Аналоги транзистора 2П829Ж

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2П829Ж.

Вы знаете больше о транзисторе 2П829Ж, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2П829Ж.
Добавить рисунок транзистора 2П829Ж.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2П829Ж.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.