Высказывания: Желания мои весьма скромны. Портреты главы государства не должны превышать размер почтовой марки. Набоков Владимир Владимирович
Основные параметры биполярного, низкочастотного, pnp транзистора 2STW1695
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, pnp транзистора 2STW1695 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
100000
140
140
6
20000
-65+150
20000000
225
50-140
Производитель: STMicroelectronics Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2STW1695:
Корпус: TO-247. Ton 240nS, Toff 1440nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2STW1695
Общий вид транзистора 2STW1695.
Цоколевка транзистора 2STW1695.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
