Высказывания: Никто не считает, что зарабатывает слишком много денег. Аксиома Чарлза Осгуда
Основные параметры биполярного, сверхвысокочастотного, pnp транзистора TPT5610
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, сверхвысокочастотного, pnp транзистора TPT5610 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
1000
-25
-20
-5
-1
150
350000000
38
60/240
Производитель: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD Сфера применения: блок питания Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора TPT5610
Общий вид транзистора TPT5610.
Цоколевка транзистора TPT5610.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Дата создания страницы: 2012-06-23 09:47:11; Пользователь: DMLeon.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
