Высказывания: Любое действие, для которого нет никакого логического объяснения, следует считать "политикой фирмы". Второй закон больших корпораций
Основные параметры биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2SCR553P
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2SCR553P . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
2000
50
50
6
4000
-55+150
360000000
12
180-450
Производитель: ROHM Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2SCR553P:
Ton 45nS, Toff 495nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SCR553P
Общий вид транзистора 2SCR553P.
Цоколевка транзистора 2SCR553P.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.