Высказывания: Если опытная установка работает безукоризненно, все последующие будут неисправны. Части, которые просто нельзя собрать неправильно, все же будут собраны неправильно.
Основные параметры биполярного, сверхвысокочастотного, pnp транзистора 2SAR514P
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, сверхвысокочастотного, pnp транзистора 2SAR514P . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
2000
80
80
6
1400
-55+150
380000000
10
120-390
Производитель: ROHM Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2SAR514P:
Корпус: SOT-89. Ton 50nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SAR514P
Общий вид транзистора 2SAR514P.
Цоколевка транзистора 2SAR514P.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
