Юмор: Никогда не разворачивайте подарок сразу, а дождитесь ухода гостей. Если развернете его при гостях, то никому из присутствующих его уже не подаришь...
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора KSC5402DT
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора KSC5402DT . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
50000
1000
450
12
2000
-
11000000
-
6
Производитель: FairChild (Samsung) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора KSC5402DT:
Корпус: TO-220. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора KSC5402DT
Общий вид транзистора KSC5402DT.
Цоколевка транзистора KSC5402DT.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
