Высказывания: Представьте себе, какая была бы тишина, если бы люди говорили только то, что знают. Карел Чапек.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора BCW61B
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора BCW61B . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
350
32
32
5
200
-55+150
100000000
6
20-310
Производитель: NXP (Philips) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора BCW61B:
Корпус: SOT-23. Ton 150nS, Toff 800nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BCW61B
Общий вид транзистора BCW61B.
Цоколевка транзистора BCW61B.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.