Высказывания: 1. Товар с этикеткой "Новинка" или "Улучшенная модель" таковым не является. Обе эти этикетки означают, что цена подскочила. Правила Хешайза
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора FJN4309R
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора FJN4309R . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
300
40
40
5
100
-
200000000
-
100-600
Производитель: FairChild (Samsung) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора FJN4309R:
Корпус: TO-92. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора FJN4309R
Общий вид транзистора FJN4309R.
Цоколевка транзистора FJN4309R.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.