Высказывания: Если выдающийся, но уже стареющий ученый утверждает, что нечто возможно, он почти наверняка прав. Если он считает что-то невозможным, он, вероятнее всего, заблуждается. Первый закон Кларка
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора NTE16006
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора NTE16006 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
1000
20
20
15
1500
-55+150
55000000
11
1000-2500
Производитель: NTE Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора NTE16006
Общий вид транзистора NTE16006.
Цоколевка транзистора NTE16006.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
