Высказывания: В молодости мы полагаем, что справедливость - минимум того, что мы вправе ожидать от других. В зрелом возрасте мы убеждаемся, что это максимум. Мария фон Эбнер-Эшенбах
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора PBSS5140T
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора PBSS5140T . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
450
40
40
5
2000
-65+150
150000000
12
160-800
Производитель: NXP (Philips) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора PBSS5140T:
Корпус: SOT-23. Ton 41nS, Toff 260nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора PBSS5140T
Общий вид транзистора PBSS5140T.
Цоколевка транзистора PBSS5140T.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.