Высказывания: Судьба, говорят, богиня-покровительница глупых. А разве она не права, помогая именно тем, кто не в состоянии помочь себе самим? /Ч.Колтон/
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора PBHV8115T
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора PBHV8115T . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
300
400
150
6
2000
-55+150
30000000
5.7
10-250
Производитель: NXP (Philips) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора PBHV8115T:
Корпус: SOT-23. Ton 572nS, Toff 2230nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора PBHV8115T
Общий вид транзистора PBHV8115T.
Цоколевка транзистора PBHV8115T.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.