Высказывания: Признательность народная скоро сообщается и любит выражаться в громких восклицаниях; одна ненависть скрытна и молчалива. Лажечников Иван Иванович
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора PMBT4401
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора PMBT4401 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
250
60
40
6
800
-65+150
250000000
8
20-300
Производитель: NXP (Philips) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора PMBT4401:
Корпус: SOT-23. Ton 35nS, Toff 250nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора PMBT4401
Общий вид транзистора PMBT4401.
Цоколевка транзистора PMBT4401.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.