Высказывания: Я не могу представить себе Вселенную и человеческую жизнь без какого-то осмысляющего начала, без источника духовной «теплоты», лежащего вне материи и ее законов. Вероятно, такое чувство можно назвать религиозным. Андрей САХАРОВ (1921 - 1989), физик.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора 2PB710ASL
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора 2PB710ASL . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
250
60
50
5
1000
-55+150
140000000
15
170-340
Производитель: NXP (Philips) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2PB710ASL:
Корпус: SOT-23. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2PB710ASL
Общий вид транзистора 2PB710ASL.
Цоколевка транзистора 2PB710ASL.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
