Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора FMMT591DCSM.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
14.5.2024 Мировая экономическая нестабильность, высокая...

9.5.2024 С Днём Победы!!!...

27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...



Юмор:
Перед свадьбой:
ОН: Ура! Наконец-то! Я уже дождаться не мог!
ОНА: Может мне уйти?
ОН: Нет, даже не думай об этом!
ОНА: Ты меня любишь?
ОН: Конечно!
ОНА: Ты мне когда-нибудь изменял?
ОН: Нет, как тебе такое в голову пришло?
ОНА: Будешь меня целовать?
ОН: Буду!
ОНА: Будешь меня бить?
ОН: Ни в коем случае!
ОНА: Могу тебе верить?
После свадьбы - читать снизу вверх...



Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора FMMT591DCSM

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора FMMT591DCSM . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: pnp

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
360801000-150000000 -100-300

Производитель: SemeLab (TT Electronics.MAGNATEC)
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора FMMT591DCSM: Корпус: LCC2.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора FMMT591DCSM

Общий вид транзистора FMMT591DCSM.Цоколевка транзистора FMMT591DCSM.
Общий вид транзистора FMMT591DCSM Цоколевка транзистора FMMT591DCSM

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2023-09-28 14:08:00.


Аналоги транзистора FMMT591DCSM


Коллективный разум. Дополнения для транзистора FMMT591DCSM.

Вы знаете больше о транзисторе FMMT591DCSM, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора FMMT591DCSM.
Добавить рисунок транзистора FMMT591DCSM.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора FMMT591DCSM.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru