Высказывания: Один, если он и велик, все-таки мал. Каверин Вениамин Александрович
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора BUL55BSMD
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора BUL55BSMD . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
55000
250
8000
-
20000000
-
25
Производитель: SemeLab (TT Electronics.MAGNATEC) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора BUL55BSMD:
Корпус: TO-276AB. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BUL55BSMD
Общий вид транзистора BUL55BSMD.
Цоколевка транзистора BUL55BSMD.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
