Высказывания: Целью атаки будет именно тот сервер, падение которого нанесет наибольший ущерб. следствие закона избирательного тяготения
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора 2N3868SMD
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора 2N3868SMD . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
1000
60
1000
-
60000000
-
20
Производитель: SemeLab (TT Electronics.MAGNATEC) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2N3868SMD:
Корпус: TO-276AB. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2N3868SMD
Общий вид транзистора 2N3868SMD.
Цоколевка транзистора 2N3868SMD.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
