Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора ZXT10N50DE6.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
14.5.2024 Мировая экономическая нестабильность, высокая...

9.5.2024 С Днём Победы!!!...

27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...



Высказывания:
Каждый серьезный естествоиспытатель должен быть каким-то образом человеком религиозным. Иначе он не способен себе представить, что те невероятно тонкие взаимозависимости, которые он наблюдает, выдуманы не им. В бесконечном универсуме обнаруживается деятельность бесконечно совершенного Разума. Обычное представление обо мне как об атеисте - большое заблуждение. Если это представление почерпнуто из моих научных работ, могу сказать, что мои работы не поняты... Напрасно перед лицом катастроф XX века многие сетуют: «Как Бог допустил?» Да, Он допустил: допустил нашу свободу, но не оставил нас во тьме неведения. Путь познания добра и зла указан. И человеку пришлось самому расплачиваться за выбор ложных путей.
Альберт ЭЙНШТЕЙН (1879 - 1955), физик.



Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора ZXT10N50DE6

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора ZXT10N50DE6 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
1100506000-100000000 -300-200

Производитель: Diodes inc.
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора ZXT10N50DE6: Корпус: SOT-26.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора ZXT10N50DE6

Общий вид транзистора ZXT10N50DE6.Цоколевка транзистора ZXT10N50DE6.
Общий вид транзистора ZXT10N50DE6 Цоколевка транзистора ZXT10N50DE6

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2023-08-11 17:30:37.


Аналоги транзистора ZXT10N50DE6


Коллективный разум. Дополнения для транзистора ZXT10N50DE6.

Вы знаете больше о транзисторе ZXT10N50DE6, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора ZXT10N50DE6.
Добавить рисунок транзистора ZXT10N50DE6.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора ZXT10N50DE6.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru