Компьютерный юмор: Истинную цену живого человеческого общения по-настоящему понимаешь только глядя на счета от провайдера...
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора DN0150ALP4
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора DN0150ALP4 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
450
50
200
-
60000000
-
120-250
Производитель: Diodes inc. Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора DN0150ALP4:
Корпус: X2-DFN1006-3. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора DN0150ALP4
Общий вид транзистора DN0150ALP4.
Цоколевка транзистора DN0150ALP4.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
