Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2Т201Д.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
14.5.2024 Мировая экономическая нестабильность, высокая...

9.5.2024 С Днём Победы!!!...

27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...



Высказывания:
Умный уповает на свой труд, глупец - на свои надежды.
Арабская Мудрость



Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2Т201Д

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2Т201Д . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
1501010102015010000000 2030-90

Производитель: Россия, АО «Светлана-Полупроводники»
Сфера применения: Предназначены для применения в усилителях низкой частоты электронной аппаратуры специального назначения.
Дополнительные параметры транзистора 2Т201Д: Коэффициент шума(Кш) при Uкб = 1В; Iэ=0,2 мА; f=1 кГц - не более 15дБ. Масса транзистора не более 0,6 г. Тип корпуса: КТ-1-9 (TO-18). Климатическое исполнение: <УХЛ>. Зарубежный аналог: 2N1205. Гарантийный срок хранения транзисторов - 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки. Гарантийная наработка: - 80000 часов - во всех режимах, допускаемых ТУ; - 100000 часов - в облегчённом режиме. Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2Т201Д

Общий вид транзистора 2Т201Д.Цоколевка транзистора 2Т201Д.
Общий вид транзистора 2Т201Д Цоколевка транзистора 2Т201Д

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2023-06-05 17:17:10.


Аналоги транзистора 2Т201Д


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2Т201Д.

Вы знаете больше о транзисторе 2Т201Д, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2Т201Д.
Добавить рисунок транзистора 2Т201Д.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2Т201Д.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru