Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора NSS20201MR6T1G.

Главная О сайте Теория Практика Контакты

Новости:
14.5.2024 Мировая экономическая нестабильность, высокая...

9.5.2024 С Днём Победы!!!...

27.1.2024 По утверждению учёных, с помощью модификации ...



Высказывания:
Деталь, которую завод забыл поставить, обеспечивает 75% объема поставок. Разобравшись, вы легко обнаружите, что завод не только забыл ее поставить, но 50% времени ее вообще не производил.



Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора NSS20201MR6T1G

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора NSS20201MR6T1G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
1750202000-200000000 -300

Производитель: ON
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора NSS20201MR6T1G: Корпус: SOT-457.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора NSS20201MR6T1G

Общий вид транзистора NSS20201MR6T1G.Цоколевка транзистора NSS20201MR6T1G.
Общий вид транзистора NSS20201MR6T1G Цоколевка транзистора NSS20201MR6T1G

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2023-05-11 08:01:14.


Аналоги транзистора NSS20201MR6T1G


Коллективный разум. Дополнения для транзистора NSS20201MR6T1G.

Вы знаете больше о транзисторе NSS20201MR6T1G, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора NSS20201MR6T1G.
Добавить рисунок транзистора NSS20201MR6T1G.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора NSS20201MR6T1G.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке




2008-2024. Параметры транзисторов. 7532. Политика конфиденциальности.
Top.Mail.Ru