Высказывания: И чтo бы тaм нe пpoиcxoдилo, нe cтoит вocпpинимaть жизнь cлишкoм вcepьёз, вcё paвнo нaм из нeё живыми нe выбpaтьcя.
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора TIP3055G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора TIP3055G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
80000
60
15000
-
2500000
-
20-70
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора TIP3055G:
Корпус: TO-218. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора TIP3055G
Общий вид транзистора TIP3055G.
Цоколевка транзистора TIP3055G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.