Высказывания: Тот, кто не желает поднять упавшего, пусть страшится упасть сам, ибо, когда он упадет, никто не протянет ему руку. Саади
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора MJE344G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора MJE344G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
20000
200
200
5
500
-65+150
15000000
15
30-300
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJE344G:
Корпус: TO-225. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJE344G
Общий вид транзистора MJE344G.
Цоколевка транзистора MJE344G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
