Высказывания: Жесткий диск компьютера отказывает только тогда, когда на него недавно записаны важные данные, не имеющие архивной копии.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора MJE171G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора MJE171G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
12500
80
60
7
6000
-65+150
50000000
30
12-250
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJE171G:
Корпус: TO-225. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJE171G
Общий вид транзистора MJE171G.
Цоколевка транзистора MJE171G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.