Высказывания: Если бы дети не задавали вопросов, они никогда не узнали бы, как мало знают родители
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора BUX85G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора BUX85G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
50000
1000
450
5
3000
-65+150
4000000
-
30-50
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора BUX85G:
Корпус: TO-220. Ton 300nS, Toff 2300nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BUX85G
Общий вид транзистора BUX85G.
Цоколевка транзистора BUX85G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.