Высказывания: Старых пьяниц встречаешь чаще, чем старых врачей. Франсуа Рабле
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора BC856BDW1T1G
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора BC856BDW1T1G . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
380
80
65
5
100
-55+150
100000000
4.5
150-475
Производитель: ON Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора BC856BDW1T1G:
Корпус: SOT-363. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора BC856BDW1T1G
Общий вид транзистора BC856BDW1T1G.
Цоколевка транзистора BC856BDW1T1G.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
