Высказывания: Не заявляй о своей неуязвимости и невзламываемости - всегда найдется кто-то, кто докажет обратное. Следствие - Если вы считаете свою сеть неуязвимой, то вы ошибаетесь.
Основные параметры биполярного, сверхвысокочастотного, npn транзистора КТ368ВМ
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, сверхвысокочастотного, npn транзистора КТ368ВМ . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
225
15
15
4
60
-60+100
900000000
1.7
100-450
Производитель: Интеграл Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора КТ368ВМ:
Корпус: TO-92. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора КТ368ВМ
Общий вид транзистора КТ368ВМ.
Цоколевка транзистора КТ368ВМ.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
