Юмор: Никогда не разворачивайте подарок сразу, а дождитесь ухода гостей. Если развернете его при гостях, то никому из присутствующих его уже не подаришь...
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора STA8550SF
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора STA8550SF . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
350
30
25
6
800
-55+150
200000000
19
85-300
Производитель: AUK semiconductor Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора STA8550SF:
Корпус: SOT-23F. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора STA8550SF
Общий вид транзистора STA8550SF.
Цоколевка транзистора STA8550SF.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
