Высказывания: Образование - вещь превосходная, но хорошо бы иногда помнить, что ничему из того, что следовало бы знать, научить нельзя. Оскар Уайльд
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора MJF13009
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора MJF13009 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
50000
700
400
9
24000
-65+150
4000000
180
6-40
Производитель: New Jersey Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора MJF13009:
Корпус: TO-220F. Ton 1100nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора MJF13009
Общий вид транзистора MJF13009.
Цоколевка транзистора MJF13009.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.