Высказывания: Атаки происходят тогда, когда администратор безопасности отсутствует на работе. Следствие - Стоит вам отлучиться на 5 минут, как именно в этот момент ваш босс не сможет закачать себе новую MP3-композицию из-за настроек МСЭ.
Основные параметры биполярного, высокочастотного, pnp транзистора RN2410
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, pnp транзистора RN2410 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
200
50
50
5
100
-55+150
200000000
3
120-400
Производитель: Toshiba Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора RN2410:
Корпус: SOT-346. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора RN2410
Общий вид транзистора RN2410.
Цоколевка транзистора RN2410.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
