Высказывания: Реклама всегда менее актуальна, чем думают ее создатели. Первый закон Фостера
Основные параметры биполярного сверхвысокочастотного pnp транзистора NTE129
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного сверхвысокочастотного pnp транзистора NTE129 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
1250
80
80
5
1000
-65+200
400000000
20
25-300
Производитель: NTE Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора NTE129:
Корпус: TO-205AD. Ton 100nS. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора NTE129
Общий вид транзистора NTE129.
Цоколевка транзистора NTE129.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.