Высказывания: Чтобы одно очистить, нужно другое запачкать... Но можно запачкать все, ничего не очистив. Закон неразумного сохранения грязи
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора NTE53
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора NTE53 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
175000
850
400
9
30000
-65+200
6000000
500
6-60
Производитель: NTE Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора NTE53:
Корпус: TO-204AA. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора NTE53
Общий вид транзистора NTE53.
Цоколевка транзистора NTE53.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.