Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Параметры транзистора 2Т856А.

Главная О сайте Теория Практика Контакты    Будь партнёром

Новости:
15.5.2023 Выключение занимает около секунды, включение ...
9.5.2023 С Днём Победы!!!...
7.4.2023 В лабораториях, к столетнему юбилею, наверняк...


Юмор:
Американский президент и Генсек СССР устроили между собой соревнования по бегу. Спортивный американец, естественно, прибежал первым, Генсек вторым. «Независимые и объективные» СМИ дают информацию:
В США: «Наш президент занял первое место, Генсек СССР прибежал последним.»
В СССР: «Президент США прибыл предпоследним, а наш Генсек занял почётное второе место.»




Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2Т856А

Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2Т856А . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор:
Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max, мВтUcb max, ВUce max, ВUeb max, ВIc max, мАTj max, °CFt max, ГцCc tip, пФHfe
7500095010000-10000000 --

Производитель: USSR
Сфера применения:
Дополнительные параметры транзистора 2Т856А: Корпус: TO-204AA.
Условные обозначения описаны на странице «Теория».


Схемы транзистора 2Т856А

Общий вид транзистора 2Т856А.Цоколевка транзистора 2Т856А.
Общий вид транзистора 2Т856А Цоколевка транзистора 2Т856А

Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.

Дата создания страницы: 2019-05-02 12:02:52.


Аналоги транзистора 2Т856А


Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2Т856А.

Вы знаете больше о транзисторе 2Т856А, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2Т856А.
Добавить рисунок транзистора 2Т856А.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2Т856А.

Разделы справочника:

Добавить описание биполярного транзистора.
Добавить описание полевого транзистора.
Добавить описание биполярного транзистора с изолированным затвором.
Поиск биполярного транзистора по основным параметрам.
Поиск полевого транзистора по основным параметрам.
Поиск БТИЗ (IGBT) по основным параметрам.
Поиск транзистора по маркировке.

Поиск корпуса электронного компонента. Узнать размеры транзистора.
Добавить чертёж транзистора.

Параметры транзисторов биполярных низкочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных низкочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных высокочастотных pnp.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных npn.
Параметры транзисторов биполярных сверхвысокочастотных pnp.
Параметры полевых транзисторов n-канальных.
Параметры полевых транзисторов p-канальных.
Параметры биполярных транзисторов с изолированным затвором (БТИЗ, IGBT).

Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Добавьте эту страницу в закладки:


По маркировке

2008-2023. Параметры транзисторов. 7531.
Top.Mail.Ru