Высказывания: 2. Работающая над программой группа питает отвращение к еженедельной отчетности о достигнутых результатах, поскольку она слишком явно свидетельствует об отсутствии таковых. Закон мира ЭВМ по Голубу
Основные параметры биполярного, высокочастотного, npn транзистора КТ935А
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, высокочастотного, npn транзистора КТ935А . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
60000
80
80
5
20000
-
51000000
800
-
Производитель: USSR Сфера применения: Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора КТ935А
Общий вид транзистора КТ935А.
Цоколевка транзистора КТ935А.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.