Высказывания: Человек компетентный - это тот, кто заблуждается по правилам. Поль Валери
Основные параметры биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2SD2655
Эта страница создана пользователем сайта через систему Коллективного разума и показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного, низкочастотного, npn транзистора 2SD2655 . Информация о параметрах, цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max, мВт
Ucb max, В
Uce max, В
Ueb max, В
Ic max, мА
Tj max, °C
Ft max, Гц
Cc tip, пФ
Hfe
800
60
50
6
2000
-55+150
280
4.2
200-500
Производитель: Renesas (NEC. Hitachi) Сфера применения: Дополнительные параметры транзистора 2SD2655:
Корпус: SOT-346. Условные обозначения описаны на странице «Теория».
Схемы транзистора 2SD2655
Общий вид транзистора 2SD2655.
Цоколевка транзистора 2SD2655.
Обозначение контактов:
Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер.
Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.
Cправочник характеристик транзисторов ПАРАТРАН полезен опытным и начинающим радиолюбителям, профессионалам в сфере электроники, конструкторам, ученикам школ и студентам высших учебных заведений, где преподаются дисциплины по электронным приборам. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов, выпускаемых промышленностью. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.
